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晶片「蓋高樓」 英特爾大突破

lexus 發表於: 2011-5-05 23:07 來源: ADJ網路控股集團


晶片大廠英特爾(Intel)今天宣布晶片重大突破,可望讓手機效能更強,卻更加省電。
這間美國晶片廠說,這是50多年前發明矽電晶體以來,首次以3維而非2維方式大量生產。

英特爾「革命性」的三門(Tri-Gate)電晶體,捨棄只往兩側擴充的方式,改由往上增加,如同高樓大廈內部空間比一堆矮平房更多。

英特爾早在2002年就宣布三門晶片,如今以22奈米製程生產。

英特爾說,低電壓和低耗電,遠超過我們平常所見的晶片時代躍進。